量身裁体的定制化设备，可自动/手动目视检测um级别缺陷！

产品用途：
- 目视检测设备可组装矫正、分选等功能。通常用在半导体工厂黄光线上或者wafer晶圆生产线上。可检测um级别的灰层、刮伤、颗粒、崩边等缺陷。
- 可晶圆抓边翻转（Edge Grip flipping）
- 支持尺寸2~12寸、普通片盒/FOUP/FOSB/SMIF

InnoLas晶圆激光打标机：IL600、IL1000、IL(C/D)2000、IL(C/D)3000

用于标记每个晶片上的印字代码，以保证整个制程链的可追踪性、可识别性。
对于每个客户的个别需求，使用不同的光学设置来实现最理想的工艺质量。InnoLas Nanio激光是专为晶圆打标开发配置的高质量打标系统。
可以容易地在软件食谱进行调整。优良的可读性配搭Cognex读取器，是我们不断改进打标工艺的另一大优势。
应用： 在半导体晶片晶圆上刻印ID标记
工艺： 深打标及无颗粒、无微尘软打标
材料： 50~200mm半导体衬底/晶圆 – Si、Ge、LED蓝宝石、InP/GaAs/SiC/GaAs等所有化合物材料
表面： 抛光、精研、研磨，切割，蚀刻，EPI和所有其他
可读性： 人眼和摄像读取均很优良
激光器寿命： 实际长达8~10年!

4-8寸SiC/GaN化合物半导体专用设备

全自动无接触无损量测 - 几何形貌+厚度+电气性能

• TTV平坦度/BOW-WARP-SORI 翘曲/应力/粗糙度/厚度、PN/电阻率等
• 手动/自动 - 模块式+客制化: 灵活配置、多种选配组合、支持SMIF/FOUP及OHT/AGV
• 非接触式、成熟先进方案：150-300mm晶圆全球实绩丰富、高产能、高精度!

AOI晶片缺陷检测(表面、边角、内隐裂/位错)
• 全自动: 研磨前后、CMP前后、最终QA/QC;替代KLA、性价比最优!
• 高速线扫描~200wph、高精度0.5um、多波长、多角度、多照明(明/暗/灰场)一次性综合成像; 多功能并行; 支持OHT/AGV
• AI智能算法、150-300mm晶片缺陷检测 (OC/SMIF/FOUP); 避免研磨/抛光时碎片宕机，提高生产良率和稼动率！

晶圆/掩模板清洗、高温磷酸刻蚀、SiC/GaN等向性刻蚀整形

• 业界标杆/标准、实绩丰富：全球14-45nm销售 >1000+台！
• 清洗种类：正反面、倒角面、氧化膜；表面无损伤、无残粒、无刻蚀
• 等向性干刻：底角圆滑、消除微波损伤、栅极SiN层去除、沟槽表面优化/平滑化
• 高温磷酸刻蚀：<30ea@19nm颗粒、~16腔高产能单片式、逻辑产品实绩丰富

全自动高速高精度CMP抛光/BG背减薄

• 超镜面光洁度Ra=1Å!
• 全自动量产式，单/双面精抛光
• 支持150~300mm薄片、背减薄厚度<25um!

集成型快速3D成像显微系统 - 拉曼/共焦/AFM/PL/近场扫描

• 多功能一体集成型3D光学快速成像
• 3D拉曼光谱成像
• SNOM近场拉曼光谱成像
• PL光致-拉曼-原子力显微系统
• 共焦-拉曼-原子力显微系统

SurfScan - AOI晶片缺陷检测 (表面、边角、内隐裂/位错)
• 全自动: 研磨前后、CMP前后、最终QA/QC;替代KLA、性价比最优!
• 高速线扫描~200wph、高精度0.5um、多波长、多角度、多照明(明/暗/灰场)一次性综合成像; 多功能并行; 支持OHT/AGV
• AI智能算法、150-300mm晶片缺陷检测 (OC/SMIF/FOUP); 避免研磨/抛光时碎片宕机，提高生产良率和稼动率！

光学形貌3D成像测量仪 (平坦度/翘曲度/应力)

• 2-8寸几何形貌+应力
• 非接触、无损伤、斜光干涉型, 二次解析算法消除外界干扰 (透明物OK)
• SEMI标准测量：GFLR, GF3D, GF3R, TV, GBIR, TAPER, Tang, SFLR, SFLD, SFQR, SF3R, SF3D, SBIR, SBID, BOW, SORI, 整体应力,局部应力…

特种光纤@独特的日本深微钻孔技术 - 光子晶体、多芯/空芯光纤

• 碾压传统毛细管堆叠法 ~ 高精度、高良率！
• 以精准的孔径/孔位及其分布制作特种光纤预制管
• 可前/后处理(如: 截断、退火、内抛)
例:
• 孔位置精度±0.1@L1000mm
• 孔深径比~450:1 (如: φ2mm x L900mm)
• 深钻~L2000mm!
• 孔径 φ0.2~φ30mm